相互 コンダクタンス。 トランジスタの構造と基本特性(2)=バイポーラトランジスタ=

コンダクタンス 相互

相互コンダクタンス(gm)• これによってゲート電荷が放電しチャンネルが消滅し、ベース電流の供給がとまりIGBTのターンオフ遷移が始まる。 基本は1つだけです pn BJTのように2つではなく、ゲートとチャネルの間の接合部 pn 図13に示す接合部は、ゲート端子を互いに配線することによって並列に接続されています。 電気伝導力 とも言う。

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ドレーン電圧に比例してドレーン電流が増加する線形特性を示す。
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・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 4 ダイオード接続のコンダクタンス g d は,僅かな電圧変化に対する電流変化なので,式4を式5のようにV Dで微分し,接線の傾きを求めることで得られます. 温度の影響 V p 大きくありません。 まだn - 領域に多量の過剰電子及び正孔が蓄積電荷として存在しているので、コレクタ電流はすぐに遮断しない。 ピンチオフ点を超える動作(飽和領域)は、ドレイン電圧が V DS、 より大きい - V P (図15を参照)。

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分かりやすいソース接地回路の直流特性で考えます。 相互コンダクタンスが大きい増幅素子ほど高い増幅率を得やすい。
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そこで、rpが負荷抵抗RLより十分大きいという条件の元で、次のようにゲインを計算する。 正の電源電圧 V DDは、ドレインに適用されます(これは、 V CC BJTの電源電圧とソースはコモン(グランド)に接続されています。

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下の図のやはり3極管のEp-Ip特性では、曲線の傾きがこの内部抵抗値に相当する。
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・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 5 式5の括弧で囲んだ項は,式4のダイオード接続に流れる電流と同じなので,ダイオード接続のコンダクタンスは式6となります. これはから見ることができます i D— v DS 図16の曲線。 つまり、バイアスを2V変化させた時のプレート電圧の変化はそれぞれ44V、つまり1Vあたりの変化率は22Vであったわけです。 これは、特性曲線の最も線形の領域内のQ点を見つける。

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バイアスを一定にした状態で、プレート電圧を増減したとき、プレート電流がどれくらい増減するのかという指標のことを内部(rp)といいます。 nチャンネルMOSFETの電圧降下が無視できる条件では十分なベース電流が供給されるので、IGBTはpnダイオードの順方向電圧電流の特性を示す。
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その特性はデプレッションMOSFETの特性と類似していると予想されます。 3極管の場合、プレート電流が多くなるにつれてgmの値はどんどんに大きくなり、プレート電圧が高くなるにつれてgmの値はどんどん小さくなる性質があります。

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線形動作領域の中心近くで静止値を見つけるための合理的な手順は、とを選択することです。
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このようにIGBTは優れた特徴をもっているため、エァコン・冷蔵庫・洗濯機・電子レンジ・カメラ用ストロボの民生機器から、はん用インバータ・大型モータ制御用インバータ・ロボット・無停電電源装置・電鉄主モータ制御装置などの産業・大型プラント機器に至る広い分野でパワーエレクトロニクスを支える中心的な半導体デバイスとして使用されている。 実際には電源電圧を超える電圧は発生しないわけですが、ここで解くべき問題は「モデル=理想的な回路」であって、実際の回路ではないことに注意して下さい。

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しかし、バイポーラトランジスタの場合と異なり二次降伏による急激な耐圧劣化現象はない。
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後で出てくるが、5極管の電圧増幅率は、RL・gmで計算でき、gmが大きいほど回路のゲインが大きくなる。 このモデルは、式(20)の関係に基づいています。 v DS 増加し続けています。

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ピンチオフ電圧とアバランシェ降伏との間の領域は、 活性領域、アンプ動作領域、飽和領域または ピンチオフ領域 (ピンチオフ前の)オーミック領域は通常、 三極管地域しかし、それは時々呼ばれます 電圧制御領域 JFETは、可変抵抗が望まれるときおよびスイッチング用途の両方において、オーミック領域で動作する。 図17 - JFET伝達特性曲線 転送と i D-v DS 図17に示されているJFETの特性曲線は、BJTの対応する曲線とは異なります。
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一定の電流を出力するわけですから、繋ぐ抵抗を変えてやれば、それに比例した電圧が抵抗の両端に生じます。 (2) 動作原理及び基本特性 等価回路に示すようにpnpトランジスタとベース電流を制御するnチャンネルMOSFETで構成されている。 この等価回路に出てくる相互コンダクタンスというものについて考えます。

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プレート電流が非常に少ない領域では、Ep-Ip特性曲線がほとんど寝てしまい、rpは非常に高い値になります。
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この特性は半導体内部の物理現象を反映しているので、残念ながら直線的な変化にはならず、少し湾曲しています。 これらの類似点は、セクションXNUMX「MOSFETとJFETの比較」に要約されています。

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相互コンダクタンスは増幅素子の電流制御能力を示す値とも言える。